-
1 bipolar transistor
Универсальный русско-английский словарь > bipolar transistor
-
2 bipolar transistor integrated circuit
Makarov: BPTICУниверсальный русско-английский словарь > bipolar transistor integrated circuit
-
3 heterojunction bipolar transistor, heterostructure bipolar transistor
Engineering: HBTУниверсальный русско-английский словарь > heterojunction bipolar transistor, heterostructure bipolar transistor
-
4 Double Heterostructure Bipolar Transistor
Electronics: DHBTУниверсальный русско-английский словарь > Double Heterostructure Bipolar Transistor
-
5 Hetero Bipolar Transistor
Универсальный русско-английский словарь > Hetero Bipolar Transistor
-
6 Heterojunction Bipolar Transistor
Abbreviation: HBTУниверсальный русско-английский словарь > Heterojunction Bipolar Transistor
-
7 Insulated Gate Bipolar Transistor
Универсальный русско-английский словарь > Insulated Gate Bipolar Transistor
-
8 Insulated-Gate Bipolar Transistor
Abbreviation: IGBTУниверсальный русско-английский словарь > Insulated-Gate Bipolar Transistor
-
9 gate bipolar transistor
Electrical engineering: GBT (биполярный затворный транзистор)Универсальный русско-английский словарь > gate bipolar transistor
-
10 gate-modulated bipolar transistor
Engineering: GAMBITУниверсальный русско-английский словарь > gate-modulated bipolar transistor
-
11 heterojunction bipolar transistor
Abbreviation: HBTУниверсальный русско-английский словарь > heterojunction bipolar transistor
-
12 metamorphic bipolar transistor
Semiconductors: MHBTУниверсальный русско-английский словарь > metamorphic bipolar transistor
-
13 Hetero-junction Bipolar Transistor
microel. HBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Hetero-junction Bipolar Transistor
-
14 Heterojunction Bipolar Transistor
microel. HBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Heterojunction Bipolar Transistor
-
15 Insulated Gate Bipolar Transistor
abbr. IGBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Insulated Gate Bipolar Transistor
-
16 transistor
ТранзисторЭлектронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, Bipolar Junction Transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми. -
17 bipolar-unipolar negative differential resistance transistor
BUWDR transistor — биполярно-полевой транзистор с отрицательным дифференциальным сопротивлениемАнгло-русский словарь промышленной и научной лексики > bipolar-unipolar negative differential resistance transistor
-
18 Bipolar Field Effect Transistor
Information technology: BIFETУниверсальный русско-английский словарь > Bipolar Field Effect Transistor
-
19 Bipolar Junction Transistor
Универсальный русско-английский словарь > Bipolar Junction Transistor
-
20 Bipolar field-effect transistor
Electronics: BIFETУниверсальный русско-английский словарь > Bipolar field-effect transistor
См. также в других словарях:
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
bipolar transistor — dvipolis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar transistor vok. bipolarer Transistor, m; Bipolartransistor, m rus. биполярный транзистор, m pranc. transistor bipolaire, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolar transistor biasing — Bipolar transistor amplifiers must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are … Wikipedia
bipolar transistor amplifier — stiprintuvas su dvipoliu tranzistoriumi statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar amplifier; bipolar transistor amplifier vok. Bipolarverstärker, m rus. усилитель на биполярном транзисторе, m pranc. amplificateur à transistor… … Radioelektronikos terminų žodynas
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Heterojunction bipolar transistor — The heterojunction bipolar transistor (HBT) is a type of bipolar junction transistor (BJT) which uses differing semiconductor materials for the emitter and base regions, creating a heterojunction. The HBT improves on the BJT in that it that can… … Wikipedia
Heterostructure-emitter bipolar transistor — The Heterojunction emitter bipolar transistor (HEBT), is a somewhat unique arrangement with respect to emitter blocking of minority carriers. This is accomplished by using heterostructure confinement in the emitter, introducing an energy barrier… … Wikipedia
Heterojunction bipolar transistor — Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emittermaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur.… … Deutsch Wikipedia
heterojunction bipolar transistor — įvairialytis dvipolis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterojunction bipolar transistor; heterostructure bipolar transistor vok. Bipolartransistor mit Heteroübergang, m; Heterojunction Bipolartransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas